LBSS138LT1G 时间：2025/8/14 3:05:40 阅读：15

LBSS138LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率、低功耗的开关应用。这款MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和更高的能效，适用于便携式设备、电源管理和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：0.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.8Ω（在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

LBSS138LT1G具有先进的Trench MOSFET技术，确保了较低的导通电阻并提高了开关性能。其封装形式为SOT-23，尺寸小巧，非常适合空间受限的应用设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至10V的Vgs操作，确保在不同电压条件下都能保持良好的导通性能。同时，它具有较高的热稳定性和可靠性，能在高温环境下稳定工作。
　　此外，LBSS138LT1G具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的能效。这使得它特别适用于电池供电设备、DC-DC转换器、马达控制和LED驱动等需要高效开关的电路设计中。
　　其低功耗特性和高集成度，使得在设计中可以有效降低外围电路的复杂性，从而简化设计流程，提升产品稳定性。

应用

LBSS138LT1G主要应用于以下领域：便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电池管理系统中的充放电控制开关；DC-DC转换器和负载开关；LED背光驱动电路；以及工业自动化和电机控制中的小型化电路设计。
　　此外，该MOSFET还适用于需要高效、小型化功率管理的各类嵌入式系统和物联网（IoT）设备中。其优异的热性能和可靠性使其在高密度PCB布局中依然能保持稳定运行。