类型：高速光耦合器
　　封装类型：8引脚 SOIC
　　最大正向电流：60 mA
　　最大反向电压：5 V
　　输出类型：开集输出
　　最大工作温度：+85°C
　　最小工作温度：-40°C
　　隔离电压：5000 VRMS
　　传播延迟：最大10 ns
　　传输速率：可达25 Mbps
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%

AFCT-5815DZ 采用先进的 CMOS 工艺和高效率的光电转换技术，确保了其在高速应用中的稳定性和可靠性。该器件的光发射部分采用高亮度砷化镓（GaAs）红外发光二极管，光接收部分则使用高灵敏度的硅光电探测器。这种结构设计使得 AFCT-5815DZ 在传输速度和响应时间方面表现出色，能够满足高频信号隔离的需求。
　　此外，AFCT-5815DZ 提供了高达5000 VRMS 的电气隔离能力，有效防止了不同电路部分之间的电位差干扰和潜在的电气损坏。其低传播延迟（最大10 ns）和快速上升/下降时间（通常小于5 ns）使其适用于高速数字通信、电机控制、开关电源等对响应时间要求严格的场合。
　　该光耦还具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内正常工作，适合工业级应用环境。其封装符合 RoHS 标准，适用于无铅生产工艺。

AFCT-5815DZ 广泛应用于需要高速信号隔离的各类电子设备和系统中。常见应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出隔离、变频器和伺服驱动器中的反馈信号隔离、通信设备中的电平转换与隔离，以及开关电源中的反馈控制回路隔离。
　　在电机控制和工业网络中，该光耦可有效防止由于高电压、高电流或电磁干扰引起的信号失真和设备损坏，提高系统的稳定性和安全性。此外，AFCT-5815DZ 也适用于医疗电子设备、测试仪器和汽车电子系统中对隔离性能要求较高的场合。

HCPL-0611, 6N137, LTV-847S, EL718M