YG963S6 时间：2025/8/9 17:04:31 阅读：31

YG963S6是一款由国内厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。该器件采用先进的沟槽栅工艺制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

YG963S6具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，这使得在高电流工作条件下，器件的功率损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达到60V，适用于多种中高压应用场景。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至12V驱动电压，便于与各类驱动电路兼容。
　　该器件采用了优化的封装结构，具备良好的热管理性能，能够在高功率工作环境下保持稳定的运行。同时，其内部结构设计提高了抗雪崩能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。YG963S6还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制等应用。
　　在制造工艺方面，YG963S6采用了先进的沟槽栅技术，提升了沟道密度，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流承载能力。这种设计不仅提高了器件的电气性能，还进一步缩小了芯片尺寸，有助于降低整体系统成本。

应用

YG963S6主要应用于各类中高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化控制系统以及电动汽车充电模块等。由于其具备高电流能力和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理方案。
　　在消费类电子产品中，YG963S6可用于高性能电源适配器、笔记本电脑充电器、LED照明驱动器等应用。在工业领域，它可广泛用于伺服电机控制、工业电源模块、UPS不间断电源以及储能系统中的功率控制部分。此外，该MOSFET也可用于新能源汽车中的OBC（车载充电机）及电池保护电路中。