类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：16V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　测试电流：5mA
　　最大反向漏电流：100nA（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　引脚数：2
　　正向电压（VF）：1.2V（@ IF=10mA）
　　动态阻抗（Zzt）：35Ω（@ IZ=5mA）
　　温度系数：+8mV/°C（典型值）

EDZV16B齐纳二极管的核心特性之一是其高电压精度与低容差表现，标称齐纳电压为16V，并具有±2%的严格容差控制，这使其非常适合用于需要精确电压参考的设计场景。这种高精度来源于ROHM公司在芯片制造过程中对掺杂浓度和结结构的精密调控，从而保证了器件在批量生产中的一致性和可重复性。该器件在5mA的标准测试电流下工作，此时其动态阻抗仅为35Ω，这意味着当通过齐纳二极管的电流发生微小变化时，电压的变化幅度非常小，有助于维持系统的电压稳定性。
　　另一个关键特性是其优良的温度稳定性。尽管齐纳电压随温度变化存在一定的漂移，但EDZV16B经过优化设计，具备相对较低且可预测的温度系数（典型值为+8mV/°C），便于在宽温环境下进行补偿或校准。这对于工业级应用尤为重要，因为设备可能需要在极端环境温度下长期运行。此外，该器件的最大功耗可达200mW，结合SOD-123FL小型封装，实现了较高的功率密度与散热效率平衡。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），而且支持自动化贴片装配，提升了生产效率并降低了组装成本。该封装还具备良好的热导性能和机械强度，增强了器件在振动、湿度等恶劣条件下的可靠性。EDZV16B的反向漏电流极低，在额定电压下典型值仅为100nA，减少了待机状态下的能量损耗，适用于低功耗或电池供电系统。同时，其正向导通电压约为1.2V（@10mA），符合标准硅二极管特性，可用于双向保护或整流辅助功能。
　　该器件还具备出色的长期稳定性与老化性能，即使在长时间连续工作后也能保持电压特性的不变。ROHM对产品实施严格的筛选和可靠性测试，包括高温反偏试验（HTRB）、温度循环测试（TCT）和恒定湿热试验（HAST），以确保其满足AEC-Q101等车规级标准的要求，因此EDZV16B也可用于汽车电子中的传感器模块、ECU电源监控等关键部位。

EDZV16B齐纳二极管广泛应用于多个电子领域，尤其适用于需要稳定电压参考或过压保护的场合。在电源管理系统中，它常被用作反馈回路中的基准电压源，例如在开关模式电源（SMPS）或线性稳压器中提供精确的参考点，以确保输出电压的准确性。由于其16V的齐纳电压适中，也可用于分立式稳压电路中，作为并联稳压器来钳位电压，防止下游电路因瞬态高压而损坏。
　　在模拟信号调理电路中，EDZV16B可用于建立偏置电压或限制信号摆幅，确保运算放大器或其他模拟器件在其推荐工作范围内运行。例如，在数据采集系统中，它可以防止输入信号超过ADC的量程范围，从而提高系统的鲁棒性。此外，该器件还可用于电压检测电路，配合比较器实现欠压或过压报警功能，常见于电池管理系统（BMS）或UPS不间断电源中。
　　在工业控制设备中，EDZV16B可用于PLC模块、传感器接口电路或通信接口（如RS-485）的ESD和瞬态电压抑制保护。其快速响应能力和低动态阻抗使其能有效吸收瞬间浪涌能量，保护敏感集成电路。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能家居设备，该器件可用于内部电源轨的微调或备份电源的电压钳位。
　　由于其符合AEC-Q101可靠性标准，EDZV16B也适用于汽车电子应用，包括车载信息娱乐系统、车身控制模块、照明控制系统以及电动助力转向（EPS）中的电源监测单元。此外，在测试与测量仪器中，该齐纳二极管可作为校准基准，提供长期稳定的参考电压，确保测量精度。总之，EDZV16B凭借其高精度、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

MMSZ5246BT1G
　　DFZ16B-7-F
　　BZT52C16-E3-08
　　ZMM16
　　1N5246B