您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RGS50TSX2DHR

RGS50TSX2DHR 发布时间 时间:2025/8/7 10:45:33 查看 阅读:8

RGS50TSX2DHR 是一款由 Renesas Electronics 公司推出的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,专为高效能功率转换应用设计。该型号采用高性能硅芯片技术,具有低导通压降和快速开关特性,适用于工业电机控制、逆变器、电源转换器等高功率应用领域。该器件采用 TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适用于表面贴装技术(SMT),提高了生产效率和空间利用率。

参数

型号:RGS50TSX2DHR
  类型:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
  最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  最大集电极电流(IC):50A
  导通压降(VCE_sat):约1.7V(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TSOP
  安装方式:表面贴装
  栅极驱动电压:±20V 最大值
  短路耐受能力:有
  功耗(PD):150W(最大)
  封装尺寸:符合JEDEC标准

特性

RGS50TSX2DHR 的核心特性在于其高性能功率处理能力和高效的开关行为。该 IGBT 器件采用先进的硅芯片技术,在导通状态下的压降较低,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外,其最大集电极-发射极电压可达 600V,最大集电极电流为 50A,能够应对高功率应用场景的需求。该器件具有良好的短路耐受能力,确保在异常工况下仍能保持稳定运行。
  该器件的 TSOP 封装形式提供了良好的散热性能,同时减小了 PCB 空间占用,适用于高密度电子设计。其工作温度范围从 -40°C 到 +150°C,适应了广泛的工业环境要求。RGS50TSX2DHR 还具有较低的开关损耗,使其在高频应用中表现优异,如逆变器、UPS 系统和变频器等。
  此外,RGS50TSX2DHR 在设计上优化了热阻性能,确保在长时间高负载运行时仍能维持较低的结温,延长器件使用寿命并提高系统可靠性。其栅极驱动电压为 ±20V,与常见的驱动电路兼容性强,便于工程师进行系统集成。

应用

RGS50TSX2DHR 广泛应用于需要高效功率转换的工业和消费类电子产品中。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节系统以及新能源汽车中的功率转换模块。由于其优异的导通和开关特性,该 IGBT 器件也常用于太阳能逆变器和储能系统的功率模块设计中。
  在工业自动化控制系统中,RGS50TSX2DHR 可作为主功率开关器件使用,实现对电动机的精确控制和高效能转换。在新能源领域,该器件可应用于电动汽车的车载充电系统以及能量回馈装置,满足高效率、高可靠性的需求。此外,它还可用于家电中的高效能功率控制模块,如电磁炉、空调压缩机等场合。

替代型号

RGS50TSX2DH、RGS50TSX2DS、RGS50TSX2DHP、RGS50TSX2DSH

RGS50TSX2DHR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价