PTEA415050 是一款高性能的功率晶体管,属于东芝(Toshiba)推出的 U-MOS X-H 系列。该系列以低导通电阻和高开关速度著称,广泛应用于各种需要高效功率转换的场景。PTEA415050 采用 TO-263 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),具有出色的散热性能。
这款功率 MOSFET 主要用于直流电机驱动、负载开关、DC-DC 转换器等应用中,能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:57A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:98nC
开关时间:ton=34ns, toff=20ns
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
PTEA415050 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高开关速度,有助于提升系统效率并降低电磁干扰。
3. 优秀的热运行。
4. 内置反向二极管,简化了电路设计并增强了系统的保护功能。
5. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
这些特性使得 PTEA415050 成为许多高效率、大电流应用场景的理想选择。
PTEA415050 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、刹车系统和空调压缩机控制。
2. 工业自动化:包括伺服电机驱动、工业逆变器和机器人控制。
3. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、无线充电器和家用电器中的 DC-DC 转换。
4. 通信设备:如基站电源和服务器电源模块。
PTEA415050 凭借其卓越的性能和可靠性,在上述应用中表现出色。
PTEA415051, PTEA415052