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PTEA415050 发布时间 时间:2025/5/27 17:05:39 查看 阅读:14

PTEA415050 是一款高性能的功率晶体管,属于东芝(Toshiba)推出的 U-MOS X-H 系列。该系列以低导通电阻和高开关速度著称,广泛应用于各种需要高效功率转换的场景。PTEA415050 采用 TO-263 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),具有出色的散热性能。
  这款功率 MOSFET 主要用于直流电机驱动、负载开关、DC-DC 转换器等应用中,能够显著提高系统的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:57A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:98nC
  开关时间:ton=34ns, toff=20ns
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

PTEA415050 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 高开关速度,有助于提升系统效率并降低电磁干扰。
  3. 优秀的热运行。
  4. 内置反向二极管,简化了电路设计并增强了系统的保护功能。
  5. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
  这些特性使得 PTEA415050 成为许多高效率、大电流应用场景的理想选择。

应用

PTEA415050 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、刹车系统和空调压缩机控制。
  2. 工业自动化:包括伺服电机驱动、工业逆变器和机器人控制。
  3. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、无线充电器和家用电器中的 DC-DC 转换。
  4. 通信设备:如基站电源和服务器电源模块。
  PTEA415050 凭借其卓越的性能和可靠性,在上述应用中表现出色。

替代型号

PTEA415051, PTEA415052

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