时间：2025/5/14 17:48:14
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FDN5630-NL是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、负载开关和信号切换等电路中。该器件采用小型化的SOT-23封装，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在便携式设备和空间受限的应用中使用。
这款MOSFET适用于要求高效率、低功耗的设计场景，其出色的电气性能和稳定性使其成为众多工程师的首选。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：0.7Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：450mW（Tc=25℃）
结温范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻确保了较低的传导损耗，提高了整体系统效率。
2. 小型SOT-23封装节省PCB空间，非常适合手持设备和高密度设计。
3. 快速开关特性减少了开关损耗，提升了高频应用中的表现。
4. 高度可靠的电气性能，可承受反复的热循环和电气应力。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
1. 移动设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的电源管理。
3. DC/DC转换器中的同步整流。
4. 信号电平转换和保护电路。
5. 便携式电子设备的功率控制模块。
6. 低压电机驱动和LED驱动。
FDN340P, BSS138, Si2302DS
