类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：5.8A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：DPAK

ED71DEA 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中表现优异，有助于减少开关损耗。ED71DEA 的双通道结构允许其在负载分配和并联操作中实现良好的电流均衡，适用于需要高可靠性和稳定性的电源管理系统。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下保持稳定工作。
　　另一个关键特性是其强大的短路和过载保护能力。ED71DEA 设计有内置的热保护机制，在温度过高时会自动降低导通能力，防止器件损坏。这种特性使其在汽车电子、工业控制等恶劣环境中具有优异的耐用性和可靠性。此外，该器件的封装形式适合表面贴装工艺，有助于简化PCB设计并提高组装效率。

ED71DEA 常用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于以下领域：
　　1. **DC-DC转换器**：由于其低导通电阻和高频开关能力，ED71DEA 是高性能同步整流器的理想选择，适用于升压、降压和反相转换器拓扑结构。
　　2. **电池管理系统**：在便携式设备和电动工具中，ED71DEA 可用于控制电池充放电路径，提供高效的能量管理。
　　3. **负载开关**：该器件可以作为高效开关用于控制电源到负载的连接，适用于电源管理模块和热插拔系统。
　　4. **电机控制**：ED71DEA 的高电流能力和快速开关特性使其适用于小型直流电机和步进电机的驱动电路。
　　5. **汽车电子**：由于其良好的热稳定性和过载保护能力，该器件广泛应用于汽车电子系统中的电源转换和控制电路。

STD71DE, STD71DF, IRLL3410, IRLL3510