时间：2025/9/14 20:58:07
阅读：39
BSP230,135 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中低功率开关应用。该器件采用小型封装，具有良好的热稳定性和高频开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及汽车电子等应用领域。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：1.5A（连续）
功耗（Ptot）：1.4W
导通电阻（RDS(on)）：约4.5Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-221
BSP230,135 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达 200V，使其适用于中高压开关电路。此外，该 MOSFET 具有较低的导通电阻，在 10V 栅极电压下 RDS(on) 典型值为 4.5Ω，这有助于降低导通损耗并提高效率。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路，同时具备良好的抗过载能力。BSP230,135 采用 TO-221 小型封装，适合空间受限的应用场合，并具有良好的热稳定性，可在高温环境下可靠工作。
另外，该 MOSFET 的开关速度较快，适用于高频应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理模块。其在汽车电子中的使用也较为广泛，例如用于控制车灯、电动窗和其他车载负载。
BSP230,135 主要应用于中低功率的开关电路中。常见应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、LED 驱动电路以及工业和汽车电子设备中的功率控制模块。在汽车应用中，该器件常用于控制车灯、风扇、电动门锁等外围设备。此外，BSP230,135 也适用于消费类电子产品中的电源管理单元，例如笔记本电脑、智能家电和电源适配器等设备。
BUZ105S, IRFZ20, 2N6756
