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BSP230,135 发布时间 时间:2025/9/14 20:58:07 查看 阅读:27

BSP230,135 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于中低功率开关应用。该器件采用小型封装,具有良好的热稳定性和高频开关性能,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及汽车电子等应用领域。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):200V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):1.5A(连续)
  功耗(Ptot):1.4W
  导通电阻(RDS(on)):约4.5Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-221

特性

BSP230,135 的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达 200V,使其适用于中高压开关电路。此外,该 MOSFET 具有较低的导通电阻,在 10V 栅极电压下 RDS(on) 典型值为 4.5Ω,这有助于降低导通损耗并提高效率。
  该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容常见的驱动电路,同时具备良好的抗过载能力。BSP230,135 采用 TO-221 小型封装,适合空间受限的应用场合,并具有良好的热稳定性,可在高温环境下可靠工作。
  另外,该 MOSFET 的开关速度较快,适用于高频应用,如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理模块。其在汽车电子中的使用也较为广泛,例如用于控制车灯、电动窗和其他车载负载。

应用

BSP230,135 主要应用于中低功率的开关电路中。常见应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、LED 驱动电路以及工业和汽车电子设备中的功率控制模块。在汽车应用中,该器件常用于控制车灯、风扇、电动门锁等外围设备。此外,BSP230,135 也适用于消费类电子产品中的电源管理单元,例如笔记本电脑、智能家电和电源适配器等设备。

替代型号

BUZ105S, IRFZ20, 2N6756

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BSP230,135参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C210mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 欧姆 @ 170mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds90pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SC-73
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-6959-6