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DTC144EUBTL 发布时间 时间:2025/12/25 12:15:07 查看 阅读:18

DTC144EUBTL是一款由东芝(Toshiba)生产的表面贴装小型晶体管,属于数字晶体管(Digital Transistor)系列。这种类型的晶体管内置了基极电阻器,有时还包含额外的偏置元件,使得其在电路设计中使用更加简便。DTC144EUBTL集成了一个双极结型晶体管(BJT),并内接两个电阻:一个连接在基极与外部引脚之间,另一个则连接在发射极与基极之间,形成下拉电阻。这样的设计减少了外围元件数量,简化了PCB布局,并提高了整体可靠性。该器件采用SOT-23(SC-59)超小型封装,适用于高密度安装的便携式电子设备。由于其集成化设计,DTC144EUBTL常用于开关和驱动应用,如逻辑电平转换、LED驱动、信号放大以及微控制器接口等场景。该器件具有良好的温度稳定性和快速响应能力,适合在工业控制、消费类电子产品和通信设备中广泛使用。此外,它符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适应现代绿色制造的要求。

参数

类型:NPN数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  总耗散功率(Pc):200mW(在TA=25°C时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  基极-发射极电压(VEBO):7V
  集电极截止电流(ICEO):50nA(典型值)
  直流电流增益(hFE):34至270(测试条件IC/IB = 10mA/0.1mA)
  内置电阻:R1(基极限流电阻)= 47kΩ,R2(基极-发射极下拉电阻)= 47kΩ
  封装形式:SOT-23(SC-59)
  引脚数:3
  极性:NPN

特性

DTC144EUBTL的最大亮点在于其内置的双电阻结构,极大地方便了电路设计人员在实际应用中的使用。首先,R1为47kΩ的基极限流电阻,可以有效限制从输入端流入基极的电流,避免因过大的基极电流导致晶体管损坏;其次,R2为47kΩ的基极-发射极下拉电阻,确保当输入信号悬空或处于高阻态时,基极被可靠拉低至地电位,从而防止晶体管意外导通,提升系统的抗干扰能力和稳定性。这种集成式设计不仅节省了PCB空间,还降低了物料清单成本和组装复杂度。
  该器件具有出色的开关性能,能够实现快速的开启和关断动作,适用于高频开关场合。其典型的开关时间包括延迟时间(td)约20ns、上升时间(tr)约25ns、存储时间(ts)约80ns以及下降时间(tf)约30ns,这些参数保证了其在数字逻辑电路中的高效响应。同时,由于采用了先进的半导体工艺制造,DTC144EUBTL具备良好的热稳定性和长期工作可靠性,能够在宽温度范围内保持一致的电气特性。
  该晶体管的直流电流增益(hFE)范围较宽,在不同工作条件下仍能保持稳定的放大能力,适用于多种负载驱动需求。此外,SOT-23封装具有优良的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程,满足现代大批量电子制造的需求。整体而言,DTC144EUBTL是一款高度集成、性能稳定且易于使用的数字晶体管,特别适合对空间和可靠性要求较高的应用场景。

应用

DTC144EUBTL广泛应用于各类需要简单开关控制功能的电子系统中。在便携式消费类电子产品中,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,它常被用作LED背光驱动或按键状态指示灯的控制开关,利用其内置电阻简化电路设计,提高集成度。在微控制器单元(MCU)与外围设备之间的接口电路中,该器件可用于电平转换和信号缓冲,将低电压逻辑信号转换为更高驱动能力的输出,以驱动继电器、蜂鸣器或其他小功率负载。
  工业控制系统中,DTC144EUBTL可用于传感器信号调理模块中的开关调节部分,或者作为PLC输入/输出扩展板上的驱动元件。在通信设备中,它可以用于数据线路的脉冲信号放大与整形,确保信号完整性。此外,在电源管理电路中,该晶体管也可作为使能控制开关,控制DC-DC转换器或LDO的启停状态。
  由于其具备良好的抗噪能力和稳定的开关特性,DTC144EUBTL也适用于汽车电子中的非关键性控制回路,如车内照明控制、面板指示灯驱动等。总之,凡是需要一个小巧、可靠且无需外加偏置电阻的晶体管开关解决方案的地方,DTC144EUBTL都是理想选择。

替代型号

[
   "DTC144EKA",
   "DTC144EE3",
   "DTC144EU",
   "MMBT3904BU",
   "KSH94"
  ]

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DTC144EUBTL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC144EUBTL-NDDTC144EUBTLTR