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IXDI430YI 发布时间 时间:2025/8/6 10:36:44 查看 阅读:8

IXDI430YI 是一款由 IXYS 公司生产的高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路。该芯片专为需要高电流和高电压能力的应用而设计,能够提供高效的功率开关控制。IXDI430YI 采用双通道结构,每个通道均可独立控制,适用于半桥、全桥以及其他高功率拓扑结构。

参数

供电电压:10V 至 20V
  输出电流:±4.0A(峰值)
  输入逻辑类型:兼容 CMOS/TTL
  传播延迟:15ns(典型值)
  上升/下降时间:3ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:16 引脚 SOIC
  隔离电压:2500VRMS(绝缘型)

特性

IXDI430YI 具有高速开关能力和强大的输出驱动能力,适用于高频功率转换应用。其内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压不足时自动关闭输出,防止器件损坏。该芯片的输入端具有施密特触发器设计,提高了抗噪声能力,并确保输入信号的稳定性。此外,IXDI430YI 的输出端具备交叉传导保护功能,避免上下桥臂同时导通导致短路。其封装设计支持高绝缘性能,适用于工业电机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及 UPS 系统等高要求应用。
  该驱动器的高集成度减少了外部元件数量,提高了系统的可靠性。同时,其宽工作温度范围确保了在严苛环境下的稳定运行。IXDI430YI 还具备较低的传播延迟和精确的时序控制,使其在高频开关应用中表现出色。

应用

IXDI430YI 主要应用于需要高速功率开关的场合,如电机控制、电源转换器(如 Boost、Buck、全桥拓扑)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及电动车驱动系统。它也常用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中,以提高系统效率和响应速度。

替代型号

IXDI420PI, IXDI414PI, TC4420, IRS2186

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IXDI430YI参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相
  • 延迟时间41ns
  • 电流 - 峰30A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压8.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装
  • 配用EVDS430SI-ND - BOARD EVALUATION IXDS430SIEVDI430YI-ND - BOARD EVALUATION IXDI430YI