IS25WQ040-JNLE-TR 时间：2025/9/1 10:23:36 阅读：5

IS25WQ040-JNLE-TR 是一家知名半导体公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存（Serial Flash）芯片，属于IS25系列。该芯片采用先进的非易失性存储器技术，专为需要高效数据存储和快速访问的应用设计。IS25WQ040-JNLE-TR 具有4Mbit的存储容量，支持多种串行接口模式，包括单线、双线和四线SPI（Serial Peripheral Interface），使其在多种嵌入式系统和物联网设备中具备广泛的应用前景。该芯片采用小型8引脚封装，适合空间受限的设计需求。此外，该器件在宽电压范围内工作，支持2.3V至3.6V的电源电压，适用于各种便携式设备和工业控制系统。

参数

容量：4Mbit
　　接口类型：SPI（支持单线、双线、四线模式）
　　电压范围：2.3V至3.6V
　　封装类型：8引脚SOIC或TSSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取电流：典型值2mA（在80MHz下）
　　待机电流：典型值1.5μA
　　写入/擦除耐久性：100,000次循环
　　数据保持时间：10年

特性

IS25WQ040-JNLE-TR 采用高性能的串行闪存技术，具备多项先进特性，以满足嵌入式系统和物联网应用的严苛要求。其主要特性包括：高容量与低功耗设计相结合，使得该芯片在长时间运行中依然保持较低的能耗；支持多种SPI模式，包括高速四线QPI模式，从而显著提高数据传输效率，适用于对速度有要求的系统。该芯片还内置高质量的擦写保护机制，包括软件和硬件写保护功能，有效防止关键数据被意外修改或擦除。
　　此外，IS25WQ040-JNLE-TR 的高可靠性设计使其在恶劣的工业环境中也能稳定运行，具备宽温度范围（-40°C至+85°C）和高抗干扰能力。其擦写耐久性高达10万次循环，数据保存时间可达10年，满足长期数据存储的需求。该芯片还集成了自动休眠和唤醒功能，进一步优化功耗表现，适用于电池供电设备。
　　为了提升系统设计的灵活性，该芯片支持页编程、扇区擦除、块擦除和全片擦除等多种操作模式，开发者可根据实际需求灵活选择。同时，其采用小型8引脚封装，节省PCB空间，适合紧凑型电子产品设计。

应用

IS25WQ040-JNLE-TR 广泛应用于需要高可靠性和低功耗的嵌入式系统和智能设备中。例如，它适用于物联网（IoT）设备中的固件存储，如智能传感器、无线模块和边缘计算设备；也可用于工业控制系统的程序存储和配置数据保存；同时，该芯片也适合消费类电子产品，如穿戴设备、智能家居控制器和便携式医疗设备。此外，由于其高可靠性和宽温特性，该芯片也常见于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和远程通信模块。