电容值：470pF
　　容差：±20%
　　额定电压：35V
　　温度特性：X7R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸代码：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：镍障层/锡镀层
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　老化率：约2.5%每十年（X7R材质）
　　ESR：低（典型值小于1Ω，具体取决于频率）
　　ESL：极低（适合高频应用）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：编带卷装（Tape and Reel）

UPM1V471MHD6作为一种典型的多层陶瓷电容器（MLCC），其最显著的特性之一是采用了X7R类电介质材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的稳定性。X7R材质保证了电容器在-55°C到+125°C之间电容值的变化不超过±15%，这对于需要在恶劣环境条件下保持性能稳定的工业和汽车电子设备尤为重要。同时，该电容器具有非线性电压依赖性，即随着施加直流偏压的增加，实际可用电容值会有所降低，这是Class II陶瓷材料的固有特性，在设计电源去耦网络时必须加以考虑。为了补偿这一效应，工程师通常会选择更高标称值或使用多个并联电容来确保足够的有效去耦能力。
　　另一个重要特性是其结构上的多层堆叠设计，这不仅提高了单位体积内的电容密度，还显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使其非常适合高频去耦和噪声滤波应用。在GHz级别的开关噪声环境中，如现代微处理器供电系统中，低ESL意味着更快的能量响应速度和更强的瞬态电流抑制能力。此外，该器件采用表面贴装封装（0805尺寸），便于自动化贴片生产，提高组装效率和可靠性。其镍阻挡层和锡镀层端子设计增强了焊接可靠性和抗热循环能力，减少了因热膨胀不匹配导致的开裂风险。
　　从可靠性角度看，UPM1V471MHD6符合AEC-Q200等车规级可靠性标准的可能性较高，具备良好的耐湿性、抗机械应力能力和长期稳定性。它不含铅，满足RoHS和REACH环保指令要求，适用于出口型电子产品。此外，该器件在老化行为方面表现可控，X7R介质的老化过程遵循对数规律，可通过高温预处理（de-aging）恢复部分容量。总体而言，该电容器结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代高密度电子系统中的理想选择之一。

UPM1V471MHD6广泛应用于各类需要高频去耦、信号耦合和滤波功能的电子系统中。在数字电路领域，尤其是高速微控制器、FPGA和ASIC的电源引脚附近，该电容器常被用作局部去耦电容，用于吸收电源轨上的高频噪声和瞬态电流波动，从而维持核心电压的稳定。由于其低等效串联电感（ESL）和快速响应特性，能够在纳秒级时间内提供所需电荷，防止因电流突变引起的电压跌落，进而避免逻辑错误或系统复位。在DC-DC转换器电路中，该器件也常用于输入和输出滤波环节，与其他电容配合构成多级滤波网络，有效抑制开关噪声向上下游传播。
　　在射频（RF）和无线通信模块中，UPM1V471MHD6可用于阻抗匹配网络、交流耦合路径以及旁路电容，帮助隔离不同功能模块之间的干扰，提升信号完整性和传输效率。例如，在Wi-Fi、蓝牙或蜂窝通信模块中，此类电容常出现在PA（功率放大器）偏置电路或LNA（低噪声放大器）输入端，起到稳定偏置电压和隔直通交的作用。
　　此外，该器件还适用于工业控制设备、医疗电子仪器、汽车电子控制系统（如ECU、传感器接口）以及消费类电子产品（智能手机、平板电脑、可穿戴设备）。在这些应用场景中，小型化和高可靠性至关重要，而0805封装的UPM1V471MHD6正好平衡了尺寸与焊接良率之间的关系。在高温环境下工作的设备中，其X7R介质提供的宽温稳定性确保了电性能的一致性。最后，在自动化测试设备（ATE）和精密测量仪器中，该电容器也可用于构建高精度RC滤波器或时间常数电路，尽管需注意其电压系数带来的非线性影响。