时间：2025/12/24 19:04:47
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DS1245YP-100IND 是一款由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）推出的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该芯片结合了高速SRAM与非易失性存储技术，能够在断电时通过内置锂电池或超级电容自动保存数据，确保数据不会丢失。DS1245YP-100IND 具有100 ns的访问速度，适用于需要高速数据存储和数据安全性的应用场合。
容量：256K x 8 位
访问时间：100 ns
工作电压：4.75V 至 5.5V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
电池供电数据保持电流：典型值 10 μA
封装引脚数：52 引脚
DS1245YP-100IND 的核心特性之一是其非易失性存储能力。它内部集成了SRAM、实时时钟（RTC）和电源管理电路，能够在主电源断电时自动切换至备用电池供电，保持SRAM中的数据不丢失。此外，该芯片还包含一个精确的实时时钟模块，支持秒、分、小时、日、月、年等时间信息的存储与更新。
该芯片的另一个显著特点是其高速访问能力，100 ns的访问时间使其适用于对数据读写速度要求较高的系统设计。此外，DS1245YP-100IND 采用工业级温度范围设计，能够在极端环境下稳定运行，适合工业自动化、仪器仪表、通信设备等应用。
在电源管理方面，芯片内部集成有电源检测电路，能够自动监测主电源状态，并在电源下降至设定阈值以下时迅速切换到备用电源，确保数据安全。同时，其低功耗设计在备用模式下仅需微安级电流，延长了备用电池的使用寿命。
DS1245YP-100IND 广泛应用于需要高速、非易失性数据存储的场合，如工业控制系统中的关键数据缓冲、数据采集设备中的实时数据保存、通信设备中的配置信息存储等。此外，该芯片还可用于医疗设备、智能电表、安防系统等领域，确保在断电情况下仍能可靠地保存重要数据。
DS1245Y-100IND, DS1245W-100IND, DS1245WP-100IND
