时间：2025/5/10 12:22:14
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DMP6110SVT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关特性和低导通电阻的应用场景。它采用先进的制造工艺，能够在高频和高压条件下提供稳定的性能表现。
该器件具有出色的漏源击穿电压（Vds）、较低的导通电阻（Rds(on)）以及快速的开关速度，非常适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
总功耗(Ptot)：78W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-220FP
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 具备良好的热稳定性，支持长时间高负荷运行。
4. 强大的过流保护能力，确保在极端条件下仍能正常工作。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 负载切换与电池保护电路。
4. LED照明驱动解决方案。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的各类功率开关应用。
DMP6010SCT, IRF640N, FDP067N06L
