最大正向平均电流：10A
　　峰值反向电压：100V
　　正向压降（@10A）：约0.75V
　　反向漏电流（@100V）：最大50μA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277 或 D2PAK（取决于制造商）

S-SBR10100 采用肖特基势垒结构，具有较低的正向压降，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的快速恢复时间使其适用于高频开关电路，能够有效降低开关损耗。此外，S-SBR10100 具有良好的热稳定性和较高的浪涌电流承受能力，能够在较为恶劣的工作环境下稳定运行。其封装设计便于散热，适合高功率密度的应用场景。该器件还具有良好的可靠性和较长的使用寿命，广泛应用于各类电源管理系统中。
　　在电气特性方面，S-SBR10100 在额定电流下的正向压降通常在0.75V左右，远低于传统的硅整流二极管，这使得其在高电流应用中具有显著的能效优势。同时，其反向漏电流在100V工作电压下通常不超过50μA，确保了器件在高温条件下的稳定性能。S-SBR10100 的工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于各种工业和消费类电子产品。

S-SBR10100 主要应用于开关电源、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电池充电器、不间断电源（UPS）以及各类高频率整流电路中。由于其低正向压降和高效率特性，该器件在节能型电源设备中尤为常见。此外，S-SBR10100 也广泛用于需要高效率和快速恢复特性的电子系统中，如LED照明电源、电机驱动电路和功率因数校正（PFC）模块等。
　　在通信设备中，S-SBR10100 可用于电源模块的整流和续流保护，确保系统稳定运行。在新能源应用领域，如光伏逆变器和储能系统中，该器件也发挥着重要作用。此外，它还常用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的电源管理模块。

SB10100,SBR10U100,SBR10H100