H5TQ8G83BMR-H9C 时间：2025/9/2 2:32:42 阅读：15

H5TQ8G83BMR-H9C是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的DRAM芯片。这款芯片属于高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）类别，通常用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、网络交换设备和高端服务器等对内存带宽有极高要求的应用场景。该芯片采用先进的堆叠封装技术，具备高密度、低功耗和高速数据传输的特点。

参数

容量：8GB
　　类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
　　封装类型：FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）
　　引脚数量：1024
　　工作电压：1.2V
　　数据速率：2.4Gbps
　　接口：HBM接口
　　温度范围：0°C 至 +85°C
　　尺寸：规格未详述，但HBM系列通常为紧凑型设计
　　带宽：约307GB/s（基于堆叠配置和数据速率计算）

特性

H5TQ8G83BMR-H9C具备多个高性能特性。首先，它采用HBM2技术，使得数据传输速率大幅提升，适用于需要极高带宽的GPU和AI加速器。其次，该芯片通过TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术实现多层DRAM堆叠，显著减少了封装体积，同时提高了信号完整性和能效。此外，该器件支持低功耗模式，可在闲置状态下自动降低功耗，延长设备使用寿命。其先进的封装技术也使得PCB布局更加简洁，减少了信号干扰。
　　该芯片还具备高可靠性和稳定性，适用于工业级和服务器级应用场景。其宽温范围（0°C 至 +85°C）确保在各种环境条件下仍能正常运行。此外，H5TQ8G83BMR-H9C兼容JEDEC标准，便于集成到主流系统设计中。

应用

H5TQ8G83BMR-H9C广泛应用于需要高性能内存支持的领域。包括高端图形显卡（如NVIDIA和AMD的GPU产品）、人工智能（AI）训练和推理加速卡、高性能计算服务器、数据中心交换设备以及网络处理单元（NPU）。由于其高带宽特性，也适用于需要实时数据处理的5G基站、自动驾驶系统和超大规模数据中心。