时间：2025/5/9 15:45:10
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SPH252012H2R2MT 是一款由 Vishay 提供的高效能 N 沟道逻辑电平 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，专为低导通电阻和高效率应用而优化。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景，具有出色的性能表现和可靠性。
型号：SPH252012H2R2MT
品牌：Vishay
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：30 V
Rds(on)（导通电阻）：2.4 mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：87 A
Qg（栅极电荷）：18 nC
EAS（雪崩能量）：250 mJ
封装：TO-263-3 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SPH252012H2R2MT 的主要特点是其超低的导通电阻 Rds(on)，这使其非常适合低损耗功率转换应用。此外，该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，确保在高功率密度条件下运行时依然保持稳定。
由于采用了 DPAK 封装形式，SPH252012H2R2MT 具有较大的散热面积，从而提高了功率处理能力，并且简化了 PCB 布局设计过程中的热管理问题。
其逻辑电平栅极驱动特性允许直接与 3.3V 或 5V 控制信号兼容，减少了对外部驱动电路的需求，进一步降低了系统复杂度和成本。
同时，该器件还具备快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体效率。这些特点使得 SPH252012H2R2MT 成为高性能功率管理的理想选择。
SPH252012H2R2MT 广泛应用于需要高效功率转换的领域，例如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理系统（BMS）
- 工业自动化设备
- 通信电源模块
得益于其低导通电阻和高电流处理能力，SPH252012H2R2MT 特别适合要求严格能效标准的应用场合。
SPH252012H2R2ML, IRF3205, AO3400
