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DMP3050LVT-7 发布时间 时间:2025/6/3 8:59:21 查看 阅读:4

DMP3050LVT-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小尺寸封装设计,广泛应用于各种需要高效功率管理的场合。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点,非常适合用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等应用领域。
  此型号为Diodes Incorporated公司生产的一款高性能功率MOSFET,能够提供出色的效率和可靠性,在便携式电子设备和消费类电子产品中尤为适用。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻(典型值):6mΩ
  栅极电荷:1.5nC
  总电容:190pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

DMP3050LVT-7具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在Vgs=4.5V时仅为6mΩ,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,栅极电荷较小,适合高频应用。
  3. 小巧的封装形式(通常为DFN2x2或SOT-23等紧凑型封装),节省PCB空间。
  4. 提供卓越的热稳定性和电气稳定性,能够在宽泛的工作温度范围内保持良好表现。
  5. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性,可有效防止过压或瞬态冲击对器件造成损坏。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 消费类电子产品的电源管理模块,例如智能手机和平板电脑中的负载开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流电路,以提升转换效率。
  3. 电池保护电路,用于防止过充、过放或短路情况。
  4. 低电压电机驱动及小型家电控制。
  5. 其他需要高效功率传输和切换的场合,如USB充电接口保护等。

替代型号

DMP3005UFG-7, DMN2990UFSG-7, FDMQ8203

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DMP3050LVT-7参数

  • 现有数量13,369现货
  • 价格1 : ¥4.29000剪切带(CT)3,000 : ¥1.22996卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)620 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.8W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TSOT-26
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6