时间：2025/6/25 20:04:56
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TMK063B7152MP-F是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能。其封装形式为TO-263，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
该器件在设计上注重效率与可靠性，特别适用于需要高效能转换和快速开关响应的应用场景。
型号：TMK063B7152MP-F
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：85nC
总功耗(Ptot)：165W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高峰值脉冲漏极电流能力，可应对瞬态电流冲击。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 表面贴装封装，易于自动化生产和组装。
7. 提供卓越的电气特性和机械强度，满足各种严苛应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业控制系统中的负载切换。
5. 汽车电子中的大电流驱动。
6. 通信电源模块中的功率转换元件。
7. 各类便携式设备中的高效功率管理组件。
IRF630、STP75NF06L、FDP5500
