SVD5N60F 时间：2025/9/19 23:27:16 阅读：6

SVD5N60F是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、照明镇流器以及其他需要高耐压和低导通电阻的功率开关场合。该器件采用先进的平面条形VDMOS工艺制造，具备优良的开关特性和耐雪崩能力，能够在高温和高电压环境下稳定工作。SVD5N60F的漏源击穿电压高达600V，适合用于反激式、正激式等各类开关电源拓扑结构中。其封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能和电气隔离特性，适用于工业控制、消费类电子及LED驱动电源等多种应用场景。
　　SVD5N60F的设计注重可靠性和热稳定性，在长时间运行条件下仍能保持较低的导通损耗和较高的效率。此外，该器件还具备较强的抗di/dt能力和抗过载能力，有助于提升系统整体的鲁棒性。通过优化栅极结构和降低寄生电容，SVD5N60F在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。作为一款性价比高的中高压MOSFET产品，SVD5N60F广泛用于中小功率电源适配器、充电器、家电控制板等领域。

参数

型号：SVD5N60F
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220F
　　漏源电压(VDS)：600V
　　漏栅电压(VDGR)：600V
　　连续漏极电流(ID)：5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　功耗(PD)：50W
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.8Ω @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：2~4V
　　输入电容(Ciss)：700pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：35pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间(Td(on))：25ns
　　关断延迟时间(Td(off))：60ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

SVD5N60F采用先进的平面VDMOS工艺技术，具有出色的热稳定性和长期可靠性。其高耐压特性使得该器件能够在600V的漏源电压下安全工作，适用于多种离线式开关电源设计。器件的低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.8Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）使其在高频开关应用中表现出优异的动态响应性能，减少了开关过程中的能量损耗。
　　该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的安全性与稳定性。其阈值电压范围为2~4V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与各种PWM控制器配合使用。TO-220F封装不仅提供了良好的机械强度，还具备绝缘散热片设计，可以直接安装在散热器上而无需额外的绝缘垫片，简化了热管理设计。
　　SVD5N60F内部结构经过优化，有效抑制了寄生双极晶体管的导通风险，避免二次击穿现象的发生，从而提升了器件在高应力条件下的工作可靠性。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的抗扰能力，可在复杂电磁环境中稳定运行。所有半导体结点均通过无铅工艺处理，符合RoHS环保要求，适用于绿色电子产品制造。批量生产的一致性高，便于自动化贴装和回流焊工艺，适合大规模工业化应用。

应用

SVD5N60F广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，如手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块等消费类电子产品；也可用于LED恒流驱动电源、冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器、电子镇流器等照明相关设备。由于其具备高耐压和良好开关特性，常被用作反激变换器（Flyback Converter）中的主开关管，实现交流到直流的高效转换。
　　在工业控制领域，SVD5N60F可用于小型UPS不间断电源、继电器驱动电路、电机控制模块等需要高可靠性的场景。此外，该器件还可应用于太阳能微型逆变器、智能电表电源模块以及家用电器中的辅助电源部分（如空调、洗衣机内置SMPS）。凭借其稳定的性能和成本优势，SVD5N60F已成为许多中低端电源方案中的首选功率开关器件。对于需要基本电气隔离和良好散热设计的应用，TO-220F封装的优势尤为明显，可确保长时间满负荷运行下的温升处于安全范围内。