时间：2025/5/16 14:05:41
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DMP3037LSS-13是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN5*6-8L封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合应用于各种功率转换电路、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中。其优异的电气性能和紧凑的封装使其成为高效节能设计的理想选择。
这款MOSFET的最大特点是低导通电阻和高雪崩能力，能够显著减少传导损耗并提高系统效率。此外，由于采用了无引脚表面贴装技术，它在焊接过程中表现出良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：14nC（典型值）
总电容：1350pF（输入电容Ciss，典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：DFN5*6-8L
1. 极低的导通电阻，有效降低功耗，提升系统效率。
2. 高雪崩击穿能力和高可靠性，能够在异常条件下提供额外保护。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 小尺寸封装，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅回流焊工艺。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的应用需求。
1. 开关电源中的同步整流器和降压转换器。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池管理电路。
3. 工业设备中的电机驱动和电磁阀控制。
4. LED照明系统的恒流驱动和调光控制。
5. 通信设备中的DC/DC转换模块和功率分配网络。
6. 便携式设备中的电源管理和保护电路，例如平板电脑、智能手机和笔记本电脑等。
DMP3037LTBG-13
DMP3037LFG-13
