PMXB75UPE 时间：2025/9/15 0:28:20 阅读：3

PMXB75UPE是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，设计用于高效率、高频率的功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于诸如DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等电路。PMXB75UPE采用先进的封装技术，确保了良好的散热能力，适合在高功率密度和小型化设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：75A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：采用SMD（表面贴装）封装，如SuperSOT或类似的高效散热封装

特性

PMXB75UPE具备多项优异特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中的低功耗和高效率，从而减少热量产生并提升系统可靠性。该MOSFET的高漏极-源极电压（VDS）为60V，适用于多种中高功率的直流-直流转换器和电机控制应用。
　　其次，该器件支持高达75A的漏极电流，使其能够处理大功率负载，适用于如高性能电源模块、工业电机驱动以及电动车电控系统等应用。此外，PMXB75UPE的最大栅极-源极电压为±20V，提供了良好的栅极控制稳定性，避免因过高的驱动电压导致的器件损坏。
　　在封装方面，PMXB75UPE采用了高效的表面贴装（SMD）封装技术，具备优异的热管理能力，适合在空间受限的PCB设计中使用。这种封装形式不仅提高了散热效率，还简化了装配工艺，提升了整体制造效率。
　　另外，PMXB75UPE的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。其最大功率耗散为120W，确保了在高负载情况下的可靠运行。
　　综上所述，PMXB75UPE以其低导通电阻、高电流承载能力、优异的封装散热性能以及宽广的工作温度范围，成为高性能功率转换应用中的理想选择。

应用

PMXB75UPE广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于高性能DC-DC转换器、同步整流器和稳压模块，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它在高功率密度电源设计中表现出色，尤其适用于服务器电源、通信设备和嵌入式系统的电源模块。
　　在电机控制方面，PMXB75UPE适用于工业自动化设备中的电机驱动电路，如伺服电机、步进电机和无刷直流电机控制器。其高开关速度和优良的热稳定性使其在高频PWM控制中表现优异，有助于提升电机控制的精度和效率。
　　此外，该MOSFET也广泛用于电池管理系统（BMS）和电动车（EV/HEV）的电控系统中，如电池充放电管理、逆变器和能量回收系统。其宽广的工作温度范围和高可靠性确保其在恶劣环境下的稳定运行。
　　消费电子领域中，PMXB75UPE可用于高功率LED照明驱动、智能家电电源控制以及高性能音频放大器的电源开关部分，以实现节能和小型化设计目标。