类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：110mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1.0V（典型值约-0.7V）
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ VDS = -10V, VGS = 0V）
　　开关时间（开启时间）：6ns
　　开关时间（关断时间）：14ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOT-23-3（SC-59）

DMP1096UCB4-7采用先进的沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，特别适合于对效率和空间要求严苛的便携式电子设备。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，例如在VGS = -1.8V时，RDS(on)仅为110mΩ，这使得它能够直接由低压逻辑信号（如1.8V或2.5V MCU GPIO）驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。其快速的开关响应时间（开启约6ns，关断约14ns）有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现出色。
　　该MOSFET具有稳定的热性能和较高的结温（最高可达+150°C），能够在高温环境下长期可靠运行。内部结构优化减少了寄生参数的影响，提升了整体电气性能的一致性。器件还具备较强的抗静电放电能力（HBM ESD rating > 2000V），提高了在自动化装配和现场使用中的安全性。此外，SOT-23-3封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.8mm x 1.6mm x 1.45mm），而且引脚布局兼容性强，便于PCB布线和回流焊工艺实施。该封装形式支持高密度贴装，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型产品。
　　从制造角度看，DMP1096UCB4-7遵循严格的品质控制流程，确保批次间参数一致性高，适合大规模量产应用。其无铅、无卤素的材料构成满足国际环保法规要求，符合WEEE和REACH指令。该器件还通过AEC-Q101可靠性测试的部分项目评估，虽非车规级主打型号，但在工业级应用中表现稳健。总体而言，DMP1096UCB4-7是一款高性能、小型化、绿色环保的P沟道MOSFET，适用于各类低电压、小电流开关控制场合，是替代传统机械开关或双极晶体管的理想选择。

DMP1096UCB4-7广泛应用于各种便携式消费类电子产品中，作为负载开关、电源路径控制、电池供电系统的通断管理单元。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电开关、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙）的电源管理，以及USB端口的过流保护与热插拔控制。由于其低导通电阻和低压驱动特性，该器件也可用于DC-DC转换器中的同步整流或低端开关，提高电源转换效率。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器模块的电源启停、微控制器外围电路的隔离控制、I2C/SPI总线上的电平切换与驱动增强。其快速响应能力使其适合高频开关操作，如脉宽调制（PWM）信号控制下的电机驱动或LED调光电路。此外，在医疗电子设备、智能家居终端、物联网节点等对尺寸和功耗极为敏感的产品中，DMP1096UCB4-7凭借其微型封装和低静态功耗成为理想的功率开关元件。
　　由于其具备良好的热稳定性和ESD防护能力，该器件在恶劣环境下的可靠性较高，适用于需要长期稳定运行的小型嵌入式系统。同时，它还可用于音频信号切换、模拟开关电路或作为反向电流阻断二极管的替代方案（理想二极管应用），有效降低压降和功耗。总之，凡涉及低电压、小电流、高集成度的开关控制需求，DMP1096UCB4-7均能提供高效、可靠的解决方案。

DMG2305UX-7
　　DMP2096UFG-7
　　AOZ8855CI