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2SK3692-01 发布时间 时间:2025/8/9 12:56:36 查看 阅读:23

2SK3692-01是一款由东芝公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。这款MOSFET具有高电流能力和低导通电阻,适用于需要高效能和高可靠性的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:15A
  最大漏极电压:60V
  导通电阻(Rds(on)):0.045Ω
  封装类型:TO-220

特性

2SK3692-01具有优异的热稳定性和低导通电阻,能够有效减少功率损耗。其高电流能力和耐高压特性使其适用于各种功率转换和控制应用。此外,该MOSFET的封装设计有助于散热,提高器件在高功率工作条件下的可靠性。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,可以在不同的工作条件下保持稳定的性能。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统效率。2SK3692-01还具备良好的抗过载和短路保护能力,适用于高要求的工业和汽车应用环境。

应用

2SK3692-01常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、功率放大器以及电池管理系统等应用中。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业设备、汽车电子和消费电子产品中的重要组件。

替代型号

2SK3692-01的替代型号包括IRFZ44N、Si4410DY和FDP6N40。

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