时间：2025/7/1 1:05:58
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DMN6069SE-13 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型 SOT23 封装，适用于空间受限的设计场景。它具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及电源管理应用中的负载开关和同步整流电路。
DMN6069SE-13 的设计使其能够在低电压条件下高效运行，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：0.55Ω
栅极电荷：3.8nC
总电容（Ciss）：180pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN6069SE-13 提供了低导通电阻和高效率的特性，能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
1. 低导通电阻确保在大电流下产生的热量较少，从而提高散热性能。
2. 快速开关能力有助于减少开关损耗，并且适合高频应用。
3. 紧凑的 SOT23 封装节省了 PCB 空间，非常适合便携式设备。
4. 较宽的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用。
5. 高可靠性和稳定性保证了长期使用的安全性。
DMN6069SE-13 主要应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 同步整流器和 DC-DC 转换器。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. LED 驱动器和背光控制。
5. 工业控制中的信号切换和功率转换电路。
6. 一般用途的电源管理解决方案。
DMN6069LSE-13, DMN6069SLE-7, BSS138
