类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：20A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：80A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS20N50ANH 是一款高性能功率MOSFET，其主要优势在于低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。该器件的Rds(on)最大为0.22Ω，这意味着在导通状态下，其功耗较低，有助于提高系统效率。此外，其漏源击穿电压高达500V，使其能够应用于较高电压的开关系统中。
　　该MOSFET采用了先进的平面制造工艺，具有良好的热稳定性和较高的可靠性。TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和自动化生产。
　　CS20N50ANH 还具有较强的过流和过温耐受能力，在短时间内可承受较大的电流冲击，适合用于开关电源、电机控制和功率变换等场合。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，增强了应用的灵活性。
　　由于其高性价比和稳定性能，CS20N50ANH 被广泛应用于工业控制、电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器和电动工具等电力电子设备中。

CS20N50ANH 主要应用于中高功率级别的开关电路中，包括但不限于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：该MOSFET适用于各类AC/DC和DC/DC转换器，如反激式、正激式或半桥式电源拓扑中，作为主开关器件，提高电源效率和稳定性。
　　2. **电机驱动与控制**：在直流电机、无刷电机及步进电机的驱动电路中，CS20N50ANH 可用作功率开关，实现高效的电机控制。
　　3. **LED照明驱动**：在大功率LED恒流驱动电源中，该器件可用于构建DC-DC升压或降压电路，提供稳定的电流输出。
　　4. **家电与电动工具**：在变频空调、吸尘器、电钻等家用电器和电动工具中，CS20N50ANH 可用于功率调节和电机控制，提升系统能效和响应速度。
　　5. **工业自动化设备**：如PLC控制模块、继电器替代电路、电焊机和变频器等工业设备中，CS20N50ANH 可作为关键的功率切换元件，保障设备稳定运行。

IRF540NPBF, FDP20N50, STP20N50, 20N50, FQA20N50