时间：2025/9/2 3:06:36
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H9DKNNN4JJAPRR-NEMR是一款由SK Hynix（海力士）生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列。该芯片主要用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及消费类电子产品中，提供高速数据存储和访问能力，同时兼顾低功耗设计，以满足移动设备对能效和续航的需求。该DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备较高的存储密度和稳定的性能表现。
容量：4GB（Gigabytes）
封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
引脚数量：134
电压：1.1V（工作电压）
数据速率：3200Mbps（Mega bits per second）
接口类型：LPDDR4
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
内存组织：x16
时钟频率：1600MHz
H9DKNNN4JJAPRR-NEMR具备多项先进的技术特性，首先，其采用了LPDDR4接口标准，相较于上一代LPDDR3，其数据传输速率显著提升，并且功耗更低，有助于延长设备的电池寿命。其次，该芯片支持双通道架构，能够提高内存带宽，从而增强整体系统性能。此外，该器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和电气性能，适用于紧凑型移动设备。该DRAM芯片还支持多种节能模式，如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以适应不同应用场景下的功耗需求。H9DKNNN4JJAPRR-NEMR还具备良好的兼容性，可广泛用于各种基于ARM架构的处理器平台。
该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及嵌入式系统中。由于其高带宽、低延迟和低功耗特性，特别适合用于需要高性能图形处理、多任务操作和高清视频播放的设备。此外，它也常用于需要长时间运行和高稳定性的工业及汽车电子系统中。
H9DNNN4JLMDARUR-NEMR, H9DNNN4JLMBARUR-NEMR
