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H9DKNNN4JJAPRR-NEMR 发布时间 时间:2025/9/2 3:06:36 查看 阅读:8

H9DKNNN4JJAPRR-NEMR是一款由SK Hynix(海力士)生产的高密度DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)系列。该芯片主要用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及消费类电子产品中,提供高速数据存储和访问能力,同时兼顾低功耗设计,以满足移动设备对能效和续航的需求。该DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备较高的存储密度和稳定的性能表现。

参数

容量:4GB(Gigabytes)
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  引脚数量:134
  电压:1.1V(工作电压)
  数据速率:3200Mbps(Mega bits per second)
  接口类型:LPDDR4
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  内存组织:x16
  时钟频率:1600MHz

特性

H9DKNNN4JJAPRR-NEMR具备多项先进的技术特性,首先,其采用了LPDDR4接口标准,相较于上一代LPDDR3,其数据传输速率显著提升,并且功耗更低,有助于延长设备的电池寿命。其次,该芯片支持双通道架构,能够提高内存带宽,从而增强整体系统性能。此外,该器件采用了先进的封装技术,具有良好的热管理和电气性能,适用于紧凑型移动设备。该DRAM芯片还支持多种节能模式,如自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),以适应不同应用场景下的功耗需求。H9DKNNN4JJAPRR-NEMR还具备良好的兼容性,可广泛用于各种基于ARM架构的处理器平台。

应用

该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制设备以及嵌入式系统中。由于其高带宽、低延迟和低功耗特性,特别适合用于需要高性能图形处理、多任务操作和高清视频播放的设备。此外,它也常用于需要长时间运行和高稳定性的工业及汽车电子系统中。

替代型号

H9DNNN4JLMDARUR-NEMR, H9DNNN4JLMBARUR-NEMR

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