时间：2025/5/28 18:12:39
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DMN52D0UDWQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该芯片采用小型化封装（DFN3030-8），适合在空间受限的应用中使用。其低导通电阻和高开关速度使其成为便携式电子设备、电池管理系统、负载开关和电源管理等应用的理想选择。
DMN52D0UDWQ 的设计旨在提供高效能和稳定性，同时满足现代电子设备对节能和小型化的要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN3030-8
DMN52D0UDWQ 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高效率。
2. 小型 DFN3030-8 封装，节省 PCB 空间。
3. 高开关速度，支持高频应用。
4. 高度稳定的电气性能，在各种工作条件下表现一致。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
DMN52D0UDWQ 主要应用于以下领域：
1. 便携式电子产品中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
4. 电机驱动电路。
5. 数据通信接口保护。
6. 固态继电器和保护电路。
7. 各类消费类电子产品和工业控制设备中的信号切换和功率控制。
DMN52D0UFG-13, DMN52D0UFGQ, DMN52D0UEGQ
