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GA0805Y391MBBBT31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:22:29 查看 阅读:7

GA0805Y391MBBBT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频、高功率密度应用场景设计。该型号具有出色的开关性能和低导通电阻,适合于开关电源、DC-DC转换器以及通信基站等对效率和功率密度要求极高的领域。
  这款器件采用了先进的封装工艺,确保了良好的散热特性和电气性能稳定性,同时其耐压能力较强,能够满足复杂电路中的严苛需求。

参数

型号:GA0805Y391MBBBT31G
  类型:GaN 功率晶体管
  额定电压:650 V
  额定电流:8 A
  导通电阻:40 mΩ
  开关频率:最高支持至 5 MHz
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805Y391MBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高负载电流条件下可显著降低功耗。
  2. 支持高频开关操作,能够有效减少磁性元件体积,提升整体功率密度。
  3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
  4. 具备快速的开关速度,从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
  5. 使用 GaN 技术,相比传统硅基 MOSFET 具有更高的能效和更小的尺寸。
  6. 良好的热管理设计,使其能够在高温环境下稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
  2. 数据中心电源模块
  3. 电动汽车充电设备
  4. 工业电机驱动器
  5. 通信基站供电系统
  6. 太阳能逆变器及储能系统
  由于其高效能和紧凑的设计,GA0805Y391MBBBT31G 成为许多高性能电子产品的理想选择。

替代型号

KSG0806B150T,
  GXT08A650C,
  MPX08650G

GA0805Y391MBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-