时间：2025/5/10 10:07:09
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FQB55N10是一款N沟道功率MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等场景。
这款MOSFET的设计注重减少功率损耗，同时确保在高温环境下保持稳定的性能表现。
型号：FQB55N10
Vds(漏源电压)：100V
Rds(on)(导通电阻)：0.17欧姆(典型值，Vgs=10V)
Id(连续漏极电流)：5.5A
Ptot(总功耗)：1.4W
fT(特征频率)：3.6MHz
Vgs(栅源电压)：±20V
结温范围：-55℃至+150℃
FQB55N10具备以下关键特性：
1. 低导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性，可适应较宽的温度范围。
4. 小型化TO-252封装，节省PCB空间。
5. 提供出色的雪崩能力和耐用性，增强器件可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
FQB55N10主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 各类DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
4. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED驱动器。
5. 工业控制设备中的电机驱动与继电器替代方案。
6. 通信设备中的电源管理和信号切换功能。
FQD12N10L, IRF540N, AO3400
