时间：2025/6/28 19:00:27
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CDR34BX154AMZRAT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高功率密度和高频开关场景。该器件采用先进的 SiC 技术，具备低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力等特性，适合用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及其他需要高效能源转换的应用。
这款晶体管以 TO-247 封装形式提供，能够支持高效的散热设计，并且具有极高的可靠性和稳定性。
类型：MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
最大漏源电压 (Vds)：1200 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
导通电阻 (Rds(on))：16 mΩ
最大漏极电流 (Id)：40 A
功耗：390 W
封装：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CDR34BX154AMZRAT 具备以下显著特点：
1. 低导通电阻 (Rds(on)) 设计降低了传导损耗，从而提高了系统的整体效率。
2. 高开关频率支持复杂的电力电子应用，如 DC/DC 和 DC/AC 转换。
3. 碳化硅材料的使用使得器件能够在更高温度下运行，同时保持稳定的性能。
4. 内置防静电保护功能增强了器件在实际应用中的可靠性。
5. 高耐压能力 (1200V) 使其非常适合高压环境下的应用需求。
6. 快速恢复时间 (< 50 ns)，进一步减少了开关损耗并提升了效率。
CDR34BX154AMZRAT 主要适用于以下领域：
1. 工业电源设备，例如服务器电源、通信基站电源。
2. 新能源汽车车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器。
3. 太阳能光伏逆变器和其他可再生能源相关系统。
4. 高效电机驱动和工业自动化控制。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器设计。
CDR34BX154AMZRAH, CDR34BX154AMZRAJ
