DMN32D0LFB4是一款来自Diodes Incorporated的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用DFN2020-8封装,具有超小型体积和卓越的电气性能,广泛应用于空间受限的便携式电子设备中。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关能力使其非常适合于高效能电源管理应用,如负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等。
该器件的最大栅极驱动电压为10V,并能够在较低的栅极驱动电压下提供良好的导通性能,这对于基于锂电池供电的系统尤为重要。
最大漏源电压(Vdss):30V
最大栅源电压(Vgss):±8V
连续漏极电流(Id):2.9A
导通电阻(Rds(on)):55mΩ(在Vgs=4.5V时)
导通电阻(Rds(on)):75mΩ(在Vgs=2.5V时)
总栅极电荷(Qg):4.6nC
输入电容(Ciss):104pF
反向恢复时间(trr):26ns
工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃
DMN32D0LFB4具备以下特点:
1. 超低导通电阻,有效减少传导损耗并提高效率。
2. 极快的开关速度,能够支持高频操作环境。
3. 小型DFN2020-8封装,适合高密度电路板设计。
4. 在低栅极驱动电压条件下表现优异,特别适用于单节锂电池供电场景。
5. 高雪崩耐量和坚固性,确保在恶劣条件下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且易于组装。
7. 提供出色的热稳定性和电流承载能力。
这款MOSFET广泛用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 同步整流器设计,以提升电源转换效率。
3. DC-DC转换器,包括降压、升压及反激式拓扑结构。
4. 电池管理系统(BMS),如手机、平板电脑和笔记本电脑。
5. 固态硬盘(SSD)和其他存储设备中的电源路径控制。
6. 电机驱动电路,用于小型直流电机控制。
7. 其他需要高效功率切换的应用场景。
DMN30B0LFB4, DMN34D0LFB4