时间：2025/8/6 6:47:10
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IXTF280N055T是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电流、高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：280A
导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
功率耗散(Pd)：200W
IXTF280N055T具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）最大仅为5.5mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。这对于高电流应用如DC-DC转换器和电机驱动器尤为重要。
其次，该器件的漏源电压为55V，栅源电压范围为±20V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率电源拓扑结构。此外，其连续漏极电流高达280A，使得该MOSFET能够应对极端负载条件。
IXTF280N055T采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的性能和可靠性。其TO-220AB封装具备良好的热管理和机械稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗并提高动态性能，适用于高频开关应用。同时，其耐用的封装设计和内部结构优化可有效减少热阻，提高长期运行的可靠性。
综合来看，IXTF280N055T是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合需要高效率、高电流能力和良好热性能的电源设计。
IXTF280N055T广泛应用于多个高功率电子系统中，主要涵盖以下领域：
在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，以实现高效率的能量转换。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高功率密度电源模块的理想选择。
在电机控制和驱动系统中，该MOSFET可作为H桥或半桥结构中的开关元件，适用于无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具和工业自动化设备。
在电池管理系统中，IXTF280N055T可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行并提高能量利用率。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车工业对高可靠性和宽工作温度范围的需求。
由于其出色的热性能和高频响应能力，IXTF280N055T还广泛用于高功率LED驱动器、太阳能逆变器和工业电源设备中。
IXFN280N055T, IXTK280N055T
