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MBRF20100CT-JT 发布时间 时间:2025/10/31 15:18:10 查看 阅读:26

MBRF20100CT-JT是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒整流器,专为高效率、高密度电源应用设计。该器件采用中心抽头配置的双二极管结构,非常适合用于低压输出的同步整流或非同步整流拓扑中,尤其在DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和负载点(POL)电源系统中表现出色。其主要优势在于低正向压降(VF),这有助于降低导通损耗并提高整体能效。该器件封装在紧凑的D-Pak(TO-252AA)表面贴装封装中,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产流程。MBRF20100CT-JT符合RoHS标准,并具备无卤素(Halogen Free)特性,满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。由于其20A的总电流能力和100V的反向重复电压,该器件适用于需要处理中等功率且追求高效率的应用场景,如服务器电源、电信设备和工业控制系统。

参数

产品类型:肖特基二极管
  配置:双共阴极(中心抽头)
  最大重复反向电压(VRRM):100V
  最大直流反向电压(VR):100V
  平均整流电流(IO):20A(单个阳极)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):60A(8.3ms半正弦波)
  最大正向电压(VF):0.78V(典型值,@ IF = 10A, Tj = 25°C)
  最大反向漏电流(IR):0.25mA(@ VR = 100V, Tj = 25°C);10mA(@ VR = 100V, Tj = 125°C)
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +125°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
  封装/外壳:D-Pak(TO-252AA)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

MBRF20100CT-JT的核心特性之一是其低正向压降设计,在典型工作条件下(IF = 10A, Tj = 25°C),其正向压降仅为0.78V左右。这一特性显著降低了导通期间的能量损耗,提高了电源系统的整体效率,尤其是在大电流输出的应用中效果尤为明显。此外,由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具有极快的开关速度和极短的反向恢复时间(可视为接近零)。这使得该器件在高频开关电源环境中能够有效减少开关损耗,避免因反向恢复电荷引起的电压尖峰和电磁干扰问题,从而提升系统稳定性和EMI性能。
  另一个重要特性是其双共阴极结构设计,即两个阳极共享一个公共阴极,这种配置特别适用于全波整流电路,例如在次级侧整流的反激式或正激式转换器中,可以简化PCB布局并减少元件数量,节省空间成本。同时,该结构有助于平衡两个二极管之间的热分布,提高散热效率。器件采用TO-252AA封装,具有较大的焊盘面积以增强热传导能力,支持通过PCB铜箔进行有效散热,适用于高功率密度设计。
  MBRF20100CT-JT还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大结温可达125°C,并能在高温环境下保持较低的漏电流水平,确保长期运行的稳定性。尽管在高温下反向漏电流会有所增加(最高达10mA @ 125°C),但仍在可接受范围内。此外,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保在严苛工业环境下的耐用性。其符合AEC-Q101汽车级认证的部分版本也表明其在振动、湿度和温度变化方面的稳健性。总体而言,这些特性使MBRF20100CT-JT成为高性能电源系统中的理想选择。

应用

MBRF20100CT-JT广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电源系统中。最典型的应用场景是在开关模式电源(SMPS)的次级侧整流部分,特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中,如用于服务器主板、网络路由器和基站电源模块中的+5V或+3.3V输出整流。由于其低正向压降和快速响应特性,它能够在高频操作下保持高效率,减少能量浪费和发热问题,这对于追求节能和小型化的现代电子设备至关重要。
  在通信设备领域,该器件常用于电信整流器、光模块电源和PoE(Power over Ethernet)供电端设备中,提供稳定可靠的直流输出。在工业控制与自动化系统中,MBRF20100CT-JT可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和传感器供电单元,保障在复杂电磁环境下的稳定运行。此外,它也可作为OR-ing二极管用于冗余电源系统,防止反向电流流动,实现电源路径管理。
  在消费类电子产品中,如高端台式电脑、游戏主机和大功率适配器中,该器件同样发挥着重要作用。其表面贴装封装形式便于自动化生产和回流焊接,提升了制造效率。同时,随着新能源技术的发展,该器件也被应用于太阳能微逆变器和储能系统的辅助电源模块中,提供高效的能量转换路径。总之,凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压整流场合,MBRF20100CT-JT都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

STPS20M100CT, SB20100CT, MBR20100CT, B340LB-100, PSM2045

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MBRF20100CT-JT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)840 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商器件封装ITO-220AB