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GA1210Y562MXCAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:42:15 查看 阅读:9

GA1210Y562MXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在高频和高功率应用中提供高效能表现。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,通过优化设计以降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2800pF
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210Y562MXCAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻确保了在高电流条件下减少功率损耗,从而提高系统效率。
  2. 高速开关能力使其非常适合高频开关应用,如DC-DC转换器和PWM控制器。
  3. 具备强大的热稳定性,能够承受高温环境下的持续运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  5. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间。

应用

该芯片广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
  2. 工业电机驱动与控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  4. 高效LED驱动器设计。
  5. 各类工业及消费类设备中的功率转换模块。

替代型号

GA1210Y562MXCAR21G, IRF540N, AO3400

GA1210Y562MXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-