时间：2025/3/24 10:37:26
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DMN3033LDM-7-F 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种功率转换和负载驱动应用。其封装形式为 LFPAK88，支持表面贴装技术 (SMT)，能够提供卓越的散热性能和高电流承载能力。
该 MOSFET 的设计目标是满足高效能、小型化和低成本的需求，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
输入电容：1690pF（典型值）
开关时间：ton=18ns，toff=23ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMN3033LDM-7-F 提供了非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
该器件还具备快速开关速度，可以降低开关损耗，非常适合高频应用。
其坚固的设计能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，并且通过优化的封装结构增强了散热性能。
此外，该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于简化驱动电路设计并降低驱动功耗。
在保护功能方面，它具有过热关断和 ESD 保护等特性，进一步提升了可靠性和安全性。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动、LED 驱动器、电池管理以及负载开关等场景。
由于其低导通电阻和高效率的特点，DMN3033LDM-7-F 特别适合于便携式设备、笔记本电脑适配器、服务器电源和电动工具等对能效要求较高的领域。
此外，该器件也常用于工业自动化设备中的开关电源和信号调节电路中。
DMN3036LDM-7-F, DMN3029LDM-7-F
