时间：2025/9/2 2:10:42
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H8KFS0YU0MRR-4EM 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器解决方案。该芯片通常用于需要高速数据存取的应用，如计算机内存、服务器、嵌入式系统以及高性能计算设备。这款DRAM芯片支持特定的时钟频率，具备低功耗特性，并符合行业标准的封装规格。
存储类型：DRAM
容量：1GB
数据速率：800MHz
电压：1.5V
封装类型：FBGA
引脚数：50
工作温度范围：-40°C至85°C
H8KFS0YU0MRR-4EM 是一款基于DDR3标准的DRAM芯片，具有优异的性能和可靠性。其1GB的存储容量能够满足中高端嵌入式设备和计算系统的需求。该芯片的工作频率为800MHz，支持快速的数据传输，适用于对数据处理速度有较高要求的应用场景。电压设计为1.5V，有助于降低整体功耗，延长设备的使用时间，同时减少热量的产生，提升系统的稳定性。
该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有更小的尺寸和更好的散热性能，适用于高密度PCB布局。50引脚的设计使其能够与多种控制器兼容，增强了其在不同平台上的适用性。此外，H8KFS0YU0MRR-4EM 支持宽温度范围（-40°C至85°C），能够在工业级环境中稳定运行，适用于户外设备、工业控制、车载系统等复杂环境中的应用。
H8KFS0YU0MRR-4EM 主要应用于需要高速存储的电子设备，如嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、汽车电子系统、智能家电以及个人计算机等。该芯片的高稳定性和宽温工作范围使其特别适合在工业和汽车领域中使用。
K4B1G1646Q-BCK0, MT48LC16M16A2B4-6A, HY5PS1G83AFMP-Y5
