类型：双极型晶体管（NPN）
　　晶体管数量：2
　　封装类型：DFN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值）@ IC=2mA, VCE=5V
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

SVD540NT 的主要特性之一是其集成的双晶体管结构，这使得在设计电路时能够节省 PCB 空间并提高系统可靠性。由于采用 DFN 封装，该器件具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT）的生产流程。
　　此外，SVD540NT 提供了较高的电流增益（hFE），确保了在低电流应用中仍能保持稳定的放大性能。其过渡频率（fT）达到 100MHz，表明该器件在高频应用中表现良好，适用于射频（RF）或高速开关电路。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为 80V，使其能够在中等电压应用中可靠运行。最大集电极电流为 100mA，适合于信号放大、逻辑电平转换、驱动小型继电器或 LED 显示等应用。
　　SVD540NT 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有广泛的工业适用性，并可在恶劣环境下稳定运行。

SVD540NT 被广泛应用于各种电子设备和系统中，包括工业控制电路、消费电子产品、汽车电子、通信设备和传感器接口电路等。在工业自动化系统中，它常用于信号放大和开关控制。在消费电子产品中，如电视、音响设备和家用电器中，SVD540NT 可用于音频放大器或逻辑控制电路。
　　此外，SVD540NT 还常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、LED 驱动器和继电器驱动器中。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载娱乐系统和传感器信号调理电路。
　　由于其高频性能和高增益特性，SVD540NT 也适用于射频前端模块、无线通信设备和低噪声放大器设计。

BC847B, MMBT3904, 2N3904, BC547B