CXM3593UR-T9 时间：2025/8/18 12:58:36 阅读：8

CXM3593UR-T9 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池供电设备等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：6.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223
　　晶体管配置：单路

特性

CXM3593UR-T9 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大值为 0.042Ω，在 Vgs=10V 时，能够支持较高的电流通过，同时减少发热。
　　此外，该 MOSFET 具有高达 30V 的漏源耐压能力，适用于多种中低压功率转换应用。其最大连续漏极电流为 6.1A，能够在中等负载条件下稳定工作。
　　该器件采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在高密度 PCB 设计中使用。SOT-223 封装也便于表面贴装工艺（SMT），提高生产效率。
　　CXM3593UR-T9 还具有较高的栅极驱动兼容性，栅源电压可达 20V，适合与常见的 PWM 控制器或驱动 IC 配合使用。其开关速度快，能够适应高频工作环境，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统效率。
　　在可靠性方面，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业和消费类应用。其热阻（RθJA）为约 60°C/W，表明其具有良好的散热性能。
　　总的来说，CXM3593UR-T9 是一款适用于中低压功率转换的高性能 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热管理能力。