时间：2025/8/20 13:29:08
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DN65CN5是一款功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关领域。这款器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于各种高功率密度设计。DN65CN5通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，以满足不同的散热需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：65A
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
DN65CN5具有低导通电阻，可以显著减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压应用，如电源转换器和电机驱动器。此外，DN65CN5的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体性能。此外，该MOSFET具有较高的可靠性和耐用性，适合在恶劣环境中使用。
该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内正常工作，简化了驱动电路的设计。DN65CN5的短路耐受能力也较强，能够在短暂的短路条件下不损坏，提高了系统的稳定性。同时，其低漏电流特性在关闭状态下可以减少不必要的功耗，提升整体能效。
DN65CN5广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS系统、电机控制器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。它也常用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中，以提高转换效率并减少热量产生。此外，该器件还可用于逆变器、焊接设备以及各种高功率电子负载中，提供高效的功率控制解决方案。
STP65N50FD, IRF650, FDP65N50, FQA65N50
