时间：2025/3/25 14:07:38
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IXTH12N120是一款由IXYS公司生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于Trench技术系列，采用N沟道增强型结构。其设计主要用于高频开关应用，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高效率并降低能耗。
IXTH12N120具有1200V的耐压能力，适用于需要高电压、低功耗的工业和电源转换场景，例如开关电源、逆变器、电机驱动等。
额定电压：1200V
连续漏极电流：12A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：53nC
输入电容：1280pF
最大功耗：175W
结温范围：-55℃至150℃
1. 高电压耐受能力（1200V），适用于多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻（1.4Ω），有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作环境。
4. 稳定的工作温度范围（-55℃至150℃），适合恶劣环境下的使用。
5. 具备出色的抗雪崩能力，确保在过载条件下依然可靠。
6. 小型化封装，便于安装与散热管理。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 工业逆变器及不间断电源（UPS）系统。
3. 太阳能逆变器中作为关键功率开关元件。
4. 各类电机驱动电路，如伺服电机和步进电机控制。
5. 能量回收系统和电池管理系统中的高效功率管理部分。
IXTH15N120, IXTH10N120
