DMN3025LFDF-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供了低导通电阻和优异的开关性能,适用于便携式设备、电池供电系统和DC-DC转换器等应用场景。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-6A
导通电阻(Rds(on)):最大值80mΩ @ Vgs = -10V,最大值115mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散(Pd):1.4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:DFN2020(双扁平无引脚封装)
DMN3025LFDF-7具有多个关键特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,它采用了先进的Trench MOSFET技术,提供了极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体能效。在Vgs为-10V时,Rds(on)最大为80mΩ,在Vgs为-4.5V时,Rds(on)最大为115mΩ,这使得该器件在较低的栅极驱动电压下也能保持良好的性能。
其次,DMN3025LFDF-7的漏源电压额定值为-30V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源转换和管理应用。其栅源电压范围为±20V,提供了良好的抗过压能力,确保器件在各种工作条件下的稳定性。
此外,该MOSFET的连续漏极电流为-6A,足以满足大多数中等功率应用的需求。其最大功率耗散为1.4W,并采用了DFN2020封装,具有良好的热性能和空间效率,适合在高密度PCB设计中使用。DFN封装还具有较低的热阻,有助于提高器件的热稳定性和可靠性。
DMN3025LFDF-7的另一个显著特点是其宽工作温度范围,从-55°C到150°C,使其能够在极端环境条件下稳定工作。这一特性对于工业级和汽车电子应用尤为重要。
DMN3025LFDF-7广泛应用于多个领域,包括便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电源管理单元等。在便携式设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,DMN3025LFDF-7可用于高效能的电源开关,帮助延长电池寿命。在电池管理系统中,它可以作为高侧或低侧开关,控制电池的充放电过程,确保系统的安全运行。在DC-DC转换器中,DMN3025LFDF-7可用于同步整流和功率开关,提高转换效率。此外,该器件也适用于各种工业控制和自动化系统中的电源管理需求。
Si4435BDY-T1-GE3, FDC6303N, AO4406A