时间：2025/5/8 10:11:30
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M5M5256BRV-10L 是由东芝（Toshiba）生产的一款低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性、低功耗和快速访问的特点。其主要应用领域包括工业控制、通信设备、网络系统、医疗设备以及需要高性能缓存的嵌入式系统。
这款SRAM提供512K x 16bit 的存储容量，支持高速数据读写操作，并且具有较低的待机功耗。其封装形式为FBGA-100，引脚间距为1.0mm，适合高密度电路板设计。
存储容量：512K x 16bit
数据宽度：16位
工作电压：1.71V 至 1.98V
访问时间：10ns
封装类型：FBGA-100
引脚间距：1.0mm
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
待机功耗：典型值 10μW
活跃功耗：最大 350mW
M5M5256BRV-10L 提供了出色的性能和低功耗表现。它支持快速的数据访问时间（10ns），非常适合需要高频数据交换的应用场景。
此外，该器件采用了超低功耗技术，在待机模式下的功耗非常低，有助于延长电池供电系统的续航时间。
其工作电压范围较宽（1.71V 至 1.98V），能够适应不同的电源设计需求。同时，该芯片的工作温度范围覆盖了工业级标准（-40°C 至 +85°C），保证了在恶劣环境下的稳定性。
该器件还具有内置的自刷新功能，进一步简化了系统设计并减少了外部元件的需求。
M5M5256BRV-10L 广泛应用于各种需要高性能SRAM存储的领域，例如：
- 工业自动化控制系统中的缓存模块
- 网络路由器、交换机等通信设备中的数据缓冲
- 医疗成像设备中的图像处理
- 嵌入式系统中的临时数据存储
- 高速数据采集与处理系统
- 多媒体播放器和其他消费类电子产品中的高速缓存
由于其低功耗和高可靠性特点，该器件也非常适合便携式和移动设备使用。
M5M5256BHV-10L
M5M5256BRN-10L
M5M5256BHV-10E
