时间：2025/7/8 9:25:39
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RF15N100F101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
其主要特点包括低栅极电荷、优化的 RDS(on) 和出色的 ESD 防护能力，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：45mΩ（典型值）
栅极电荷：32nC（典型值）
总电容：780pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
RF15N100F101CT 的核心优势在于其优异的电气性能与可靠性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 高速开关能力使得它在高频电路中表现出色，可有效减少开关损耗。
3. 内置保护机制增强了其在恶劣环境下的耐用性。
4. 宽泛的工作温度范围适应多种工业级应用场景。
5. 兼容性强，能够轻松集成到各种功率电子系统中。
此外，该产品还具备良好的散热特性，有助于延长使用寿命并提高系统的整体稳定性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
3. 汽车电子设备中的负载切换。
4. 通信基础设施中的信号调节和功率管理。
5. 工业自动化设备中的精密驱动。
由于其卓越的性能，RF15N100F101CT 成为了许多工程师设计高效率功率转换器时的首选解决方案。
RF15N100F102CT
IRFZ44N
FQP16N10
STP16NF10
