频率范围：2.0 GHz - 4.0 GHz
　　输出功率：125 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极效率：65%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RF6504TR7 采用 GaN 技术，具备出色的高频性能和高功率密度，使其在高频率范围内仍能保持稳定的输出。其高效率特性有助于减少功耗，提高系统能效，并降低散热需求。此外，该器件具有优异的线性度和稳定性，适合用于需要高保真信号放大的应用场景。
　　封装方面，RF6504TR7 使用符合 RoHS 标准的 SMT（表面贴装技术）封装，便于自动化生产和集成。其良好的热传导设计确保在高功率操作下的稳定性和寿命。器件还具备较高的抗失真能力和良好的互调失真（IMD）性能，适用于多载波和宽带应用。
　　此外，RF6504TR7 具有良好的输入和输出匹配能力，减少了外部匹配元件的需求，从而简化了电路设计并降低了整体系统成本。它还具备较高的抗负载变化能力，能够在不同负载条件下保持稳定的工作状态。

RF6504TR7 主要用于以下类型的射频系统：无线通信基础设施，如蜂窝基站、WiMAX 和 LTE 放大器；雷达和电子战系统；工业、科学和医疗（ISM）频段设备；测试与测量设备，如信号发生器和频谱分析仪；广播系统中的高功率射频放大器。
　　由于其宽频率覆盖范围和高功率输出能力，RF6504TR7 特别适用于需要在 2GHz 至 4GHz 频段内提供高效、高线性度功率放大的系统。该器件还可用于多频段通信系统中的通用功率放大器模块，为设计者提供较高的灵活性。

RF6504TR7 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40120 和 NXP 的 AFT04WN1200。CGH40120 是一款基于 GaN 技术的射频功率晶体管，工作频率范围相近，输出功率约为 120 W，适用于类似的高频高功率应用。AFT04WN1200 则是一款 LDMOS 功率晶体管，适用于 2GHz 至 4GHz 频段，具有良好的线性度和效率，适合用于通信基础设施。此外，可根据具体应用需求选择合适的替代器件，如在需要更高功率输出时可考虑更高功率等级的型号。