类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：6.9A
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值0.85V，最大值1.2V
　　导通电阻 RDS(on)：最大值 35mΩ（在VGS = 4.5V时），最大值 45mΩ（在VGS = 2.5V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值 350pF
　　输出电容（Coss）：典型值 120pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 45pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 4.5nC
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值 12ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功率耗散（PD）：典型值 1W（在TA=25°C条件下）

DMN2230U-7的突出特性之一是其超低的导通电阻，在VGS=4.5V时RDS(on)最大仅为35mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等对能耗敏感的应用场景。低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化热管理设计。
　　该器件支持低电压逻辑驱动，可在1.8V以上的栅极电压下充分导通，兼容现代微控制器和数字逻辑电路的输出电平。这对于采用3.3V或更低电源电压的嵌入式系统尤为重要，能够直接由GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，从而节省成本和PCB空间。
　　DMN2230U-7采用SOT-23小型封装，体积小巧，适合高密度布局的印刷电路板设计。尽管尺寸小，但其热性能经过优化，能在有限的空间内有效散热。结合其2.3A的连续漏极电流能力，提供了良好的电流承载与尺寸平衡，适用于负载开关、电机驱动、LED控制等多种功能模块。
　　该MOSFET具备良好的开关速度，输入电容和栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了动态响应能力。同时，较短的体二极管反向恢复时间有助于降低在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰风险，增强了系统的稳定性。
　　此外，DMN2230U-7具有较高的可靠性，通过了严格的生产测试和质量认证，适用于工业、消费类及便携式医疗设备等多种环境。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。器件符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色制造流程。

DMN2230U-7广泛应用于多种低电压、低功耗的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电，实现节能待机模式。它也常被用作电池保护电路中的开关元件，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，该MOSFET因其小尺寸和高效率成为理想选择，可用于传感器电源控制或无线通信模块的供电切换。此外，在物联网（IoT）节点设备中，作为微控制器与外围设备之间的接口开关，帮助延长电池寿命。
　　该器件还可用于DC-DC转换器中的同步整流或低端开关，尤其是在轻载或中等负载条件下表现优异。在LED照明应用中，可用于调节白光LED亮度的开关控制，支持PWM调光方式。
　　其他应用场景还包括电机驱动（如微型振动马达）、继电器替代、热插拔电路以及各类信号切换电路。由于其良好的线性区特性，也可用于模拟开关或恒流源设计。总之，凡是需要小型化、高效能N沟道MOSFET的场合，DMN2230U-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG2307L-7
　　AO3400
　　FDD39AP