类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：150mA
　　最大漏-源电压：100V
　　最大栅-源电压：20V
　　导通电阻：5Ω（最大）
　　功率耗散：1.25W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　频率响应：适合高频应用

2SK3307-A具有多项优良特性，使其在高频和低功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的能量损耗最小，提高了系统的整体效率。其次，该器件具有较快的开关速度，适合用于高频开关电路，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　此外，2SK3307-A具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工作环境。其TO-220封装设计有助于有效散热，延长器件的使用寿命。
　　该MOSFET还具有较高的输入阻抗，使其驱动电路设计相对简单，减少了外部驱动电路的复杂性。这一特性在设计高频放大器和开关电路时尤为重要，能够降低整体设计难度并提高电路稳定性。
　　最后，2SK3307-A的电气参数经过严格测试，确保其在各种应用场景下的性能一致性和可靠性，是一款广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中的高性能MOSFET。

2SK3307-A广泛应用于需要高频开关和低功率放大的电子设备中。常见的应用包括音频放大器、高频振荡器、电源管理电路、电机驱动器以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。由于其高可靠性和良好的热稳定性，该器件也常用于工业控制设备和通信系统中的信号处理和功率调节部分。

2SK2413, 2SK2462, 2SK170