时间：2025/8/5 18:12:20
阅读：28
IXTH24N45A是一款高功率MOSFET晶体管，由Littelfuse（前身为IXYS）制造，适用于各种高电压和高电流应用。这款晶体管的额定电压为450V，最大漏极电流为24A，具有良好的导通特性和快速的开关性能。IXTH24N45A采用TO-247封装，适合用于电源、电机控制、工业自动化和能源管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：450V
连续漏极电流(Id)：24A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
最大功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
IXTH24N45A的主要特性包括其高电压和高电流处理能力，使其适合用于高功率应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。此外，IXTH24N45A具有快速的开关速度，降低了开关损耗，使其在高频应用中表现出色。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制和稳定性。其高热阻能力和低热阻封装设计使其在高温环境下仍能保持良好的性能。此外，IXTH24N45A的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，确保了器件在高功率条件下的可靠性。
IXTH24N45A广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和能量管理系统。由于其高电压和高电流特性，它也非常适合用于电动汽车充电系统和可再生能源系统中的功率转换模块。
IXTH24N45AH, IXTH24N45AS, IXFH24N45A
