时间：2025/7/4 3:50:01
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QMK212B7472KGHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关速度之间取得了良好的平衡，适用于需要高效能和低损耗的设计。这款MOSFET具有出色的热性能，能够承受较大的电流负载，并且具备强大的短路保护能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
最大漏极电流(Id)：72A（脉冲）
功耗(PD)：160W（在Tc=25℃时）
工作温度范围(Topr)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
QMK212B7472KGHT拥有非常低的导通电阻，这使其能够在高电流应用中减少传导损耗，从而提高整体系统的效率。
其70V的额定漏源电压使其适合用于多种中压应用场景，例如工业设备中的电源管理和电机控制。
此外，该器件支持高达72A的峰值电流，可以满足高动态负载的需求。
该MOSFET还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，这对高频开关电路尤为重要。
另外，它采用了TO-247封装，这种封装形式提供了良好的散热性能，确保了在高温环境下的稳定运行。
QMK212B7472KGHT广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计，特别是高功率密度的适配器和充电器。
2. 电机驱动，如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. DC-DC转换器，提供高效的电压转换功能。
4. 太阳能逆变器系统中的功率调节模块。
5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)和电驱单元。
6. 各种工业级大功率负载控制场合。
QMK212B7572KGHT, IRF7472, FDP7472
