QMK212B7472KGHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关速度之间取得了良好的平衡,适用于需要高效能和低损耗的设计。这款MOSFET具有出色的热性能,能够承受较大的电流负载,并且具备强大的短路保护能力。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
最大漏极电流(Id):72A(脉冲)
功耗(PD):160W(在Tc=25℃时)
工作温度范围(Topr):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
QMK212B7472KGHT拥有非常低的导通电阻,这使其能够在高电流应用中减少传导损耗,从而提高整体系统的效率。
其70V的额定漏源电压使其适合用于多种中压应用场景,例如工业设备中的电源管理和电机控制。
此外,该器件支持高达72A的峰值电流,可以满足高动态负载的需求。
该MOSFET还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,这对高频开关电路尤为重要。
另外,它采用了TO-247封装,这种封装形式提供了良好的散热性能,确保了在高温环境下的稳定运行。
QMK212B7472KGHT广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,特别是高功率密度的适配器和充电器。
2. 电机驱动,如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. DC-DC转换器,提供高效的电压转换功能。
4. 太阳能逆变器系统中的功率调节模块。
5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)和电驱单元。
6. 各种工业级大功率负载控制场合。
QMK212B7572KGHT, IRF7472, FDP7472